افشین رشید _ اُستاد دانشگاه

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

دکتر افشین رشید _ اُستاد دانشگاه

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

دکتر افشین رشید _ دانشگاه علوم و تحقیقات تهران

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

دکتر افشین رشید _ دانشگاه آزاد علوم و تحقیقات تهران

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

افشین رشید _ دانشگاه علوم و تحقیقات تهران

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

افشین رشید _ دانشگاه آزاد علوم و تحقیقات تهران

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و 26 مقاله ISI بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.ایشان در سال 2023 عنوان "دانشمند دو درصد برتر جهان" از نگاه موسسه انتشارات الزویر (Elsevier) را کسب کرده‌ اند. کتابها ، مقالات و کنفرانس های زیادی با محوریت تکنولوژی نانو الکترونیک از وی موجود میباشد و یک اختراع شگفت انگیز در زمینه تکنولوژی نانو ، همچنین (شاخص ترین نظریه تغییر سیستم داخلی و باز طراحی نانو حسگرهای الکترونیکیCDSE) میباشد.

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

بررسی و تحلیل ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) با برقراری یک جریان کوچک Ib

بررسی و تحلیل ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) با برقراری یک جریان کوچک Ib

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزیستورها شامل «فعال» و «اشباع» و «ترایود» است.

طرز کار ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) به این صورت است، چنانچه پیوند BE را بi صورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم به طوری که این پیوند PN روشن شود برای این کار کافی است که به این پیوند حدود ۰.۶تا ۰.۷ولت با توجه به نوع ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) ولتاژ اعمال شود، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید.

اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است.در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید.

بنابراین در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر (حتی کمتر) در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

تشریح ساختمان داخلی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) دارای ولتاژ حالت وصل (Von ) در حدود 2 الی 3 ولت

تشریح ساختمان داخلی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) دارای ولتاژ حالت وصل (Von ) در حدود 2 الی 3 ولت

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

این قطعه الکترونیکی یک ترانزیستور دو قطبی است که در ورودی آن ها از Mosfet استفاده شده است و در واقع ترکیبی از ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) و (Mosfet) می باشد و با ترکیب مزایای آن دو یک المان برق صنعتی با سرعت سوئیچ بالا و جریان ورودی کم خلق شده است. ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند لیکن تلفات هدایت آنها بیشتر است .

ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) یک ترانزیستوری است که مزایایBGT و MOSFET را با هم دارد مثل : امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET که باعث می شود که با انرژی کمی به حالت وصل سوئیچ می گردد.(افت ولتاژ و تلفات کم مانندBJT ) نظیر BJT ها دارای ولتاژ حالت روشن (وصل )کوچکی است به عنوان مثال در وسیله ی با مقدار نامی 1000V ولتاژ حالت وصل (Von ) در حدود 2 الی 3 ولت است.

اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و E , C از ترانزیستور هایBJT.در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید که دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه KHz 1 الی 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار میگیرد. وبه خاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می شود، و در کل مورد استفاده این نوع از ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) بیشتر برای راه اندازی اِلمانهای توان بالا می باشد.مهمترین و تقریباً تنها کارایی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) سوئیچینگ جریانهای بالا می باشد. (pMOS) ترانزیستور سریعی در عملکرد است زمان قطع و وصل در آن در حدود 1 میکرو ثانیه می باشد. چون که زمان بازیابی در این ترانزیستور خیلی کم است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانس های بالا عملکرد مناسبی دارد.(pMOS) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودرو های برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورتر ها،ترانس های جوش و UPS کاربرد دارد.

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بررسی ساختمان یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی (چند لایه Si) (نانو ترانزیستور با گرافن های چند ل

بررسی ساختمان یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی (چند لایه Si) (نانو ترانزیستور با گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده)

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. نانو گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند.

در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی Si مقاومت بین دو الکترود میتواند توسط یک الکترود سوم منتقل و یا کنترل شود.در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si ، جریان بین دو الکترود توسط میدان الکتریکی از الکترود سوم کنترل میشود. بر عکس ترانزیستور دو قطبی،در الکترود سوم به لحاظ خازنی متصل میشود و در تماس با نیمه هادی نیست. سه الکترود در ساختار نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si به سورس ، درین و گیت متصل میشوند.

در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند. انتقال جریان درین با تغییر چگالی حامل های بار در کانال انتقال دو بعدی مدوله شده است. درنانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه یک کانال انتقال 3 بعدی جریان درین با ضخامت کانال انتقال سه بعدی مدوله شده است.روش های متعدد شیمیایی و فیزیکی برای تولید انواع مختلف نانو گرافن چند لایه مطرح شده است. اساس کار روش های فیزیکی به این صورت است که در این روش ها سعی می کنند، نیروهای بین صفحات گرافنی در گرافیت را از بین ببرند و با جدا کردن آنها به تک لایه های گرافنی یا گرافن اکسید برسند که این همان روش بالا به پایین است. در روش های شیمیایی هم نانو گرافن چند لایه، از کنار هم قرار گرفتن تک تک اتم های کربن ساخته می شود که به این روش ها نیز، روش پایین به بالا گفته می شود.

نتیجه گیری :

عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. نانو گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند.

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بررسی کامل از (دیاگرام مداری) یک نانو ترانزیستور اثر میدانی

بررسی کامل از (دیاگرام مداری) یک نانو ترانزیستور اثر میدانی

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

نکته: در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است.

میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند. انتقال جریان درین با تغییر چگالی حامل های بار در کانال انتقال دو بعدی مدوله شده است. درنانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه یک کانال انتقال 3 بعدی جریان درین با ضخامت کانال انتقال سه بعدی مدوله شده است.روش های متعدد شیمیایی و فیزیکی برای تولید انواع مختلف نانو گرافن چند لایه مطرح شده است. اساس کار روش های فیزیکی به این صورت است که در این روش ها سعی می کنند، نیرو های بین صفحات گرافنی در گرافیت را از بین ببرند و با جدا کردن آنها به تک لایه های گرافنی یا گرافن اکسید برسند که این همان روش بالا به پایین است. در روش های شیمیایی هم نانو گرافن چند لایه، از کنار هم قرار گرفتن تک تک اتم های کربن ساخته می شود که به این روش ها نیز، روش پایین به بالا گفته می شود.

گرافن که تنها از یک اتم کربن تشکیل شده می تواند برای ایجاد نانو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی چند لایه که انرژی کمتری مصرف کرده و فضای کمی اشغال می کنند به کار رود.گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند. عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی Si مقاومت بین دو الکترود میتواند توسط یک الکترود سوم منتقل و یا کنترل شود.در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si ، جریان بین دو الکترود توسط میدان الکتریکی از الکترود سوم کنترل میشود. بر عکس ترانزیستور دو قطبی،در الکترود سوم به لحاظ خازنی متصل میشود و در تماس با نیمه هادی نیست. سه الکترود در ساختار نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si به سورس ، درین و گیت متصل میشوند.

نتیجه گیری :

در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است.

• پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

• دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

ساختار نانو ترانزیستور های اثر میدانی (bulk MOSFET) چکونه است ؟

ساختار نانو ترانزیستور های اثر میدانی (bulk MOSFET) چکونه است ؟

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

.

نکته: در ساختار نانو ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی _ گرافنی با bulk MOSFET گیت بالایی برای بهره بیشتر ، نانو لوله های کربنی به طور کامل درون عایق گیت قرار داده می شود.بر خلاف ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی گیت پشتی ، می توان تعداد زیادی از این نوع نانو ترانزیستور لوله ای را روی یک ویفر ساخت ، به دلیل اینکه گیت های هر یک به صورت مجزا می باشد .

همچنین با توجه به ضخامت کم دی الکتریک گیت در نانو ترانزیستور، میدان الکتریکی بزرگتری را می توان با یک ولتاژ کم روی نانو لوله کربنی ایجاد کرد . با وجود روند ساخت پیچیده تر نسبت به ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی گیت پشتی ، مزایا فوق باعث می شوند که این نوع ترجیح داده شوند.در ساختار نانو ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی _ گرافنی با bulk MOSFET تمامی نانو ترانزیستور های روی یک ویفر به طور همزمان خاموش و روشن می شوند ، چون دارای گیت یکسان هستند.ضخامت لایه اکسید زیاد است واز طرفی فرآیند تولید به گونه ای است که سطح تماس نانو لوله کربنی با اکسید گیت کم بوده و برای خاموش روشن کردن قطعه با ولتاژ کم مشکل ایجاد می کند.

برای تولید نانو ترانزیستور و نانو چیپ ها یکی از مزایای این روش ها، سهولت تغییر پارامتر های فرآیند و دستیابی به شرایط بهینه تولید نانو لوله های کربنی می باشد. یک چالش عمده در ساخت نانو ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی _ گرافنی با bulk MOSFET ، ناخالصی های موجود در محصولات است. قرار دادن گیت در اطراف و در تمام نانو لوله که باعث بهبود عملکرد می شود.ابتدا نانو لوله کربنی که دارای پوشش عایق است روی ویفر قرار داده می شود که اتصال فلزی سورس و درین در دو طرف آن قرار داده می شود، سپس برای مشخص کردن و جدا کردن ناحیه سورس و درین ، si زیر نانو لوله کربنی اضافه میگردد . این زدایش کردن تا رسیدن به عایق بستر ادامه پیدا می کند . سپس با استفاده از موادی که ضریب دی الکتریک بالایی دارند ، عایق بین گیت و سورس و درین ایجاد شده و همچنین فلزی روی این عایق جهت اتصال بهتر فلز گیت به نانو لوله های کربنی _ گرافنی با bulk MOSFET قرار داده می شود.

نتیجه گیری :

در ساختار نانو ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی _ گرافنی با bulk MOSFET گیت بالایی برای بهره بیشتر ، نانو لوله های کربنی به طور کامل درون عایق گیت قرار داده می شود.بر خلاف ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی گیت پشتی ، می توان تعداد زیادی از این نوع نانو ترانزیستور لوله ای را روی یک ویفر ساخت ، به دلیل اینکه گیت های هر یک به صورت مجزا می باشد .

• پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

  دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بررسی نانو ترانزیستور FinFET کاهش مقیاس موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی

بررسی نانو ترانزیستور FinFET کاهش مقیاس موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی جریان های نشتی، تغییرات شدید فرآیند و چگالی های توان غیرقابل مدیریت

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: از آنجا که نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به ، یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور ،عرض کانال با توجه به ارتفاع و همچنین ضخامت ، که لایه های نانو CNTs آن را در محدوده کوچکتر نگه میدارد.

نانو ترانزیستور های FinFEET یک نانو ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی فلزی-اکسید-نیمه هادی ) که روی یک بستر ساخته شده است .که دروازه در دو ، سه یا چهار طرف کانال قرار دارد یا پیچیده شده است. کانال ، یک ساختار دروازه دوتایی را تشکیل می دهد. به این وسیله ها نام عمومی "finfets" داده شده است زیرا منطقه منبع / تخلیه باله هایی روی سطح سیلیکون تشکیل می دهد. دستگاه های FinFET نسبت به فناوری مسطح و با استفاده در ساختار از نانو سیم ها Nano wire و (مکمل فلزی اکسید و نیمه هادی) به طور قابل توجهی سریعتر سوئیچینگ و چگالی جریان بیشتری دارند.

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، در نانو ترانزیستور FinFET کاهش مقیاس موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی جریان های نشتی، تغییرات شدید فرآیند و چگالی های توان غیرقابل مدیریت میشود.اتصال بین نانو لوله های کربنی و فلزی که برای اتصال سورس و درین استفاده شده، در یک نانو ترانزیستور FinFET سد شاتکی (SB) را تشکیل میدهد. به وجود آمدن سدهای شاتکی در قسمت سورس و درین یک ترانزیستور باعث کاهش قابل ملاحظه ای در جریان درین نانو ترانزیستور های FinFET میشوند. بنابراین، برای کارایی عملیاتی بالاتر قطعات نانو ترانزیستور های Finfet ،فلزهای مناسبی نیاز است که بتوانند در محل اتصال سورس و درین نانو ترانزیستور استفاده شده و اتصال اهمی ایجاد کند.قابلیت نانو لوله های کربن برای استفاده در نانو ترانزیستورهای FinFET از توخالی بودن و بالا بودن سطح تماس آنها است. این سطح تماس متشکل از دیواره خارجی نانو لوله و قسمت های خالی میانی آن می باشد. در نانو ترانزیستورهای FinFET زمانی که میدان الکتریکی اعمال شود ، نانولوله کربنی که بین سورس و درین قرار دارد شامل بار متحرک می شود. چگالی این بار ها برای سورس است و این چگالی را توسط اتقال الکتریکی در نانو لوله های چند لایه برای درین هم احتمال توزیع فرمی دیراک وجود دارد.

نتیجه گیری :

از آنجا که نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به ، یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور ،عرض کانال با توجه به ارتفاع و همچنین ضخامت ، که لایه های نانو CNTs آن را در محدوده کوچکتر نگه میدارد.

ترانزیستورهای اَثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در ساختمان داخلی هسته ای از مدار های یکپارچه

ترانزیستورهای اَثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در ساختمان داخلی هسته ای از مدار های یکپارچه

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

.

.

نکته : ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) ، یک گزینه عالی برای تقویت ‌کننده‌ های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ورودی آن‌ بسیار زیاد است که بایاس آن‌ را ساده می‌کند.

برای اینکه یک ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس)، خاصیت تقویت ‌کنندگی خطی داشته باشد، برخلاف ترانزیستور دوقطبی، باید در ناحیه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزیستور دوقطبی باید حول یک نقطه کار ثابت مرکزی بایاس شود.ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می ‌دهند که «کانال» (Channel) نامیده می ‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، می ‌توان این کانال هدایت را بزرگ‌ تر یا کوچک‌ تر کرد. اعمال این ولتاژ گیت به ترانزیستور، بر مشخصه الکتریکی کانال اثر خواهد گذاشت و یک میدان الکتریکی حول پایه گیت القا می‌ کند. به همین دلیل است که این ترانزیستور، اثر میدان نامیده می ‌شود.

.

.

ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) هسته ای از مدار های یکپارچه است و به دلیل همین اندازه های بسیار کوچک می توان آن را در یک تراشه واحد طراحی و ساخت. MOSFET چهار دستگاه ترمینال با پایانه های منبع (S) ، دروازه (G) ، تخلیه (D) و بدنه (B) است. بدنه ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) اغلب به ترمینال منبع وصل می شود ، بنابراین آن را به یک دستگاه سه ترمینال مانند ترانزیستور جلوه میدان تبدیل می کند. ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در بسیاری از مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. و مرسوم ترین نوع ترانزیستور است و قابل استفاده در هر دو مدار آنالوگ و دیجیتال است.

.

.

در مدار های گسترده ، یک ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) به ما اجازه می دهد تا از ولتاژ نسبتاً کم در ساخت دروازه (Gate) استفاده کنیم تا جریان از تخلیه به منبع را تعدیل کنیم. دو نوع اساسی از ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) برای ساخت مدار های گسسته می شود.ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) یک وسیله نیمه هادی است که برای تعویض و تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه های الکترونیکی کاربرد گسترده ای در مدارات متفاوت برقی _ الکترونیکی را دارد.

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک