بررسی کامل از تکنیک های کوچک سازی الگو ها در طراحی نانو ساز هایی مانند نانو ترانزیستور های اثر میدان

بررسی کامل از تکنیک های کوچک سازی الگو ها در طراحی نانو ساز هایی مانند نانو ترانزیستور های اثر میدانی

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: الگوی میکرو/نانو یکی از تکنیک های کوچک سازی الگوها است ، به ویژه برای لوازم الکترونیکی. امروزه با استفاده از لیتوگرافی نرم به استانداردی در مهندسی مواد زیستی و تحقیقات بنیادی در زیست شناسی سلولی تبدیل شده است. به طور کلی از روش های سنگ نگاری استفاده می کند اما تکنیک های زیادی توسعه یافته است. ساخت دسته ای ریزساختارها به یک الگوی الگوی سطح کم هزینه و توان بالا نیاز دارد.

الگوی میکرو/نانو یکی از تکنیک های کوچک سازی الگوها در طراحی نانو ساز هایی مانند نانو ترانزیستورها و نانو دیودها ، نانو سوئیچ ها و دروازه های نانولوژیکی ، به منظور طراحی رایانه های مقیاس نانو با قابلیت های مقیاس دوگانه بسیار مهم است. همه سیستم های بیولوژیکی زنده به دلیل برهم کنش های مولکولی زیر سیستم های مختلف عمل می کنند. اجزای سازنده مولکولی (پروتئین ها و اسیدهای نوکلئیک ، لیپیدها و کربوهیدرات ها ، DNA و RNA) را می توان به عنوان یک استراتژی الهام بخش در مورد چگونگی طراحی NEMS و MEMS با عملکرد بالا که دارای ویژگی ها و ویژگی های مورد نیاز هستند ، در نظر گرفت. علاوه بر این ، روشهای تحلیلی و عددی برای تجزیه و تحلیل دینامیک و هندسه سه بعدی ، پیوند و سایر ویژگی های اتمها و مولکولها در دسترس است. بنابراین ، الکترو مغناطیسی و مکانیکی ، و دیگر خواص فیزیکی و شیمیایی قابل مطالعه است. نانو ساختارها و نانو سیستم ها می توانند به طور گسترده در پزشکی و بهداشت مورد استفاده قرار گیرند. از جمله کاربرد های احتمالی فناوری نانو می توان به موارد زیر اشاره کرد: سنتز دارو و تحویل دارو (پتانسیل درمانی به دلیل تحویل مستقیم موثر انواع جدید دارو ها به محل های مشخص شده در بدن بسیار افزایش می یابد) ، جراحی نانو و نانو تراپی ، سنتز و تشخیص ژنوم ، محرک ها و حسگرهای مقیاس نانو (تشخیص و پیشگیری از بیماری) ، طراحی و کاشت اندامهای مصنوعی غیر قابل رد و طراحی نانو مواد با کارایی بالا میباشد.این مهم است که این فناوری ها ساخت و تولید مواد ، دستگاه ها و سیستم ها را تغییر دهد.

نانو لیتوگرافی شاخه ای از فناوری نانو است که به مطالعه و کاربرد نانو ساختار ساختارهای مقیاس نانومتری می پردازد ، به این معنی که نانو الگوهایی با حداقل یک بعد جانبی بین اندازه یک اتم جداگانه و تقریباً 100 نانومتر وجود دارد ، اما امروزه هر زمان که این اصطلاح با فناوری نانو مرتبط باشد ، چیزی متفاوت می فهمیم. نانو لیتوگرافی به عنوان مثال در هنگام نانوساختن مدارهای مجتمع نیمه هادی پیشتاز (نانو مدار) ، برای سیستم های نانوالکترومکانیکی (NEMS) یا تقریباً برای هر کاربرد اساسی دیگر در زمینه های مختلف علمی در زمینه نانو جستجو استفاده می شود.این فناوری می تواند در تولید نانو انواع مدارهای یکپارچه نیمه رسانا (IC) ، NEMS و برای کاربردهای مختلف در تحقیقات مناسب باشد. اصلاح تراشه های نیمه هادی در مقیاس نانو (در محدوده 10-9 متر) نیز امکان پذیر است.

نتیجه گیری :

الگوی میکرو/نانو یکی از تکنیک های کوچک سازی الگوها است ، به ویژه برای لوازم الکترونیکی. امروزه با استفاده از لیتوگرافی نرم به استانداردی در مهندسی مواد زیستی و تحقیقات بنیادی در زیست شناسی سلولی تبدیل شده است. به طور کلی از روش های سنگ نگاری استفاده می کند اما تکنیک های زیادی توسعه یافته است. ساخت دسته ای ریزساختارها به یک الگوی الگوی سطح کم هزینه و توان بالا نیاز دارد.

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

دکتر افشین رشید

افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دارای مدرک (دکترای تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک) است. اُستادیار (گروه برق _ افزاره های نانو و میکرو الکترونیک ) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) از دیگر سوابق دکتر افشین رشید میباشد.

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

دکتر افشین رشید _ اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران (عضو هیئت علمی) از سال ۱۳۹۹ و معاون گُسترش فناوری دِپارتمان برق (دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران) میباشد.

افشین رشید ( متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ ) در تهران ، اُستادیار "عضو هیات علمی" دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و پژوهشگر ، نویسنده و مخترع ایرانی ( نویسنده ۲۶ کتاب و مقالات بین المللی بسیار ) در محور تخصصی نانو الکترونیک میباشد، ( تحصیلات آکادمیک ) مقطع دکترا ( نانو _ میکرو الکترونیک ) از دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ( تاریخ فارغ التحصیلی ۱۳۹۸ ) ساکن در ایران _ تهران میباشد.

آقای دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ؛ دارای ۲۱ مقاله کنفرانسی در داخل کشور و ۲۴ مقاله بین المللی خارج از کشور هستند. مقالات منتشر شده ایشان بیشتر در موضوعات تخصصی نانو الکترونیک ، نانو ترانزیستور ها ، نانو تراشه های الکتریکی ، نانو سیم های الکترونیکی و اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک تهیه شده است.

🔵 لیست کتاب های منتشر شده (دکتر افشین رشید) به شرح زیر میباشد.

فهرست و لیست کتاب های منتشر شده دکتر افشین رشید به شرح زیر میباشد:

دانلود فایل PDF کتاب های دکتر افشین رشید از وبسایت زیر امکان پذیر میباشد.

.

بیوگرافی (دکتر افشین رشید)

.

بیوگرافی (افشین رشید)

.

بیوگرافی (اُستاد افشین رشید)

.

جزوه نانو ماشین های الکتریکی _ افشین رشید

جزوه نانو ماشین های الکتریکی _ افشین رشید

در مقیاس ماکرو مولکولی ساختن یک کپی خیلی ساده تر از ساختن ماشینی است که بتواند خودش را کپی کند 
اما در تراز مولکولی این مساله واژگونه است؛
 یعنی ساختن ماشینی که بتواند خود را کپی کند کار را برای ما بارها ساده تر از ساختن ماشین دیگر می کند
 و این مهم ترین کاربرد نانو اَسمبلر می باشد.
در این زمینه حرکت از مقیاس میکرو به سمت نانو، امکانات و قابلیت های جدیدی را برای سیستم های الکترومکانیکی ایجاد می کند. 
با این وجود کوچک کردن ماشین ها تا مقیاس نانو، باعث شده است که تکامل سیستم های نانو الکترومکانیکی از روند آرامی برخوردار باشد.
یکی از اهداف نانو فناوری پیشرفت در زمینۀ الکترونیک و علوم کامپیوتر، برای ساخت حافظه ها و تراشه ها با قابلیت بیشتر، و هزینۀ کمتر است ،
 دستیابی به اهداف در این زمینه نقص های بسیاری در ماشین ها را برطرف خواهد کرد.
 به خصوص حافظه ها و اسمبلر ها، که انقلاب عظیمی در صنعت الکترونیک، در حوزۀ فناوری نانو خواهد بود.

اُستاد: افشین رشید

دانشگاه: دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

رشته: برق - افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

نوع نوشتار: تایپ‌ شده

تعداد صفحه : ۳۷

لینک دانلود جزوه : جزوه نانو ماشین های الکتریکی _ افشین رشید

...

جزوه نانو الکترونیک _ افشین رشید

جزوه نانو الکترونیک _ افشین رشید

جزوه نانو الکترونیک نوشته‌ی افشین رشید، به شرح این بخش از علم پرکاربرد الکترونیک می‌پردازد.
 طراحی، ساخت، توسعه و استفاده از ریز محصولاتی الکترونیکی که
 اندازه آن‌ها در بازه نانومتر قرار دارند را نانو الکترونیک گویند.

در بخشی از جزوه نانو الکترونیک می‌خوانیم:

در علوم الکترونیک مبحث نانو حول محور (حافظه‌های نانو؛ نانو چیپ‌ها و تراشه‌های سریع نانو و قطعات الکترونیکی نانو) با وزن کمتر و کارایی بیشتر می‌گردد.
 نانوتکنولوژی، دانش، مهندسی و فناوری در مقیاس نانو و یا به عبارت دیگر و مطالعه کاربرد اشیاء، بسیار ریز و استفاده از آن‌ها در تمام حوزه‌های علوم نظیر 
شیمی زیست شناسی، الکترونیک؛ علوم مواد و مهندسی است نانوتکنولوژی، توسعه مفاهیم و کارهای تجربی انجام گرفته 
در زمینه نانوتکنولوژی را شرح می‌دهد.

اُستاد: افشین رشید

دانشگاه: دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

رشته: برق - افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

نوع نوشتار: تایپ‌شده

تعداد صفحه : ۴۱

لینک دانلود : جزوه نانو الکترونیک _ افشین رشید

..

جزوه نانو اِلکترومغناطیس _ افشین رشید

جزوه نانو اِلکترومغناطیس _ افشین رشید

فشرده سازی بیشتر ساختار اَدوات و اَفزاره های الکترونیک با کمک علم پلاسمونیک، باعث شد تا استفاده از ساختارهای پلاسمونیک و امواج پلاسمونیک مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد.
پلاسمونیک بر اساس فرآیند برهم کنش بین امواج الکترومغناطیسی و الکترون های رسانش در فلزات با ابعاد نانو بیان شده است.به صورت تحلیلی دلیل افت سریع انرژی الکترون ها در عبور از فلزات میباشد و نتیجه گرفت این انرژی صرف حرکت تجمعی و نوسان گونه الکترون های آزاد فلز می شود و آن را پلاسمون نامید.
با رویکرد تکنولوژی به سمت تجمع مدارات الکترونیک نوری، مشکلات ساخت و پدیده هایی که به جلوگیری از فشرده سازی بیشتر ساختار کمک می کرد، باعث شد تا استفاده از ساختارهای پلاسمونیک و امواج پلاسمونیک مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد.
این نانو ساختار ها متشکل از فلز و دی الکتریک می باشد که ابعاد آنها زیر طول موج تحریکی ( طول موج پرتویی که باعث تحریک امواج پلاسمونیک می شود) قرار دارد.

اُستاد افشین رشید

دانشگاه دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

رشته : برق - افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

نوع نوشتار : تایپ‌ شده

تعداد صفحه : ۳۳

لینک دانلود جزوه : جزوه نانو اِلکترومغناطیس _ افشین رشید

..

عملکرد نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور

عملکرد نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: از آنجا که نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به ، یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور ،عرض کانال با توجه به ارتفاع و همچنین ضخامت ، که لایه های نانو CNTs آن را در محدوده کوچکتر نگه میدارد.

نانو ترانزیستور های FinFEET یک نانو ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی فلزی-اکسید-نیمه هادی ) که روی یک بستر ساخته شده است .که دروازه در دو ، سه یا چهار طرف کانال قرار دارد یا پیچیده شده است. کانال ، یک ساختار دروازه دوتایی را تشکیل می دهد. به این وسیله ها نام عمومی "finfets" داده شده است زیرا منطقه منبع / تخلیه باله هایی روی سطح سیلیکون تشکیل می دهد. دستگاه های FinFET نسبت به فناوری مسطح و با استفاده در ساختار از نانو سیم ها Nano wire و (مکمل فلزی اکسید و نیمه هادی) به طور قابل توجهی سریعتر سوئیچینگ و چگالی جریان بیشتری دارند.

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، در نانو ترانزیستور FinFET کاهش مقیاس موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی جریان های نشتی، تغییرات شدید فرآیند و چگالی های توان غیرقابل مدیریت میشود.اتصال بین نانو لوله های کربنی و فلزی که برای اتصال سورس و درین استفاده شده، در یک نانو ترانزیستور FinFET سد شاتکی (SB) را تشکیل میدهد. به وجود آمدن سدهای شاتکی در قسمت سورس و درین یک ترانزیستور باعث کاهش قابل ملاحظه ای در جریان درین نانو ترانزیستور های FinFET میشوند. بنابراین، برای کارایی عملیاتی بالاتر قطعات نانو ترانزیستور های Finfet ،فلزهای مناسبی نیاز است که بتوانند در محل اتصال سورس و درین نانو ترانزیستور استفاده شده و اتصال اهمی ایجاد کند.قابلیت نانو لوله های کربن برای استفاده در نانو ترانزیستورهای FinFET از توخالی بودن و بالا بودن سطح تماس آنها است. این سطح تماس متشکل از دیواره خارجی نانو لوله و قسمت های خالی میانی آن می باشد. در نانو ترانزیستورهای FinFET زمانی که میدان الکتریکی اعمال شود ، نانولوله کربنی که بین سورس و درین قرار دارد شامل بار متحرک می شود. چگالی این بار ها برای سورس است و این چگالی را توسط اتقال الکتریکی در نانو لوله های چند لایه برای درین هم احتمال توزیع فرمی دیراک وجود دارد.

نتیجه گیری :

از آنجا که نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به ، یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور ،عرض کانال با توجه به ارتفاع و همچنین ضخامت ، که لایه های نانو CNTs آن را در محدوده کوچکتر نگه میدارد.

• پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

  دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

قسمت های اصلی دیاگرام مداری یک (نانو ترانزیستور اَثر میدانی)

قسمت های اصلی دیاگرام مداری یک (نانو ترانزیستور اَثر میدانی)

پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)

نکته: در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است.

میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند. انتقال جریان درین با تغییر چگالی حامل های بار در کانال انتقال دو بعدی مدوله شده است. درنانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه یک کانال انتقال 3 بعدی جریان درین با ضخامت کانال انتقال سه بعدی مدوله شده است.روش های متعدد شیمیایی و فیزیکی برای تولید انواع مختلف نانو گرافن چند لایه مطرح شده است. اساس کار روش های فیزیکی به این صورت است که در این روش ها سعی می کنند، نیرو های بین صفحات گرافنی در گرافیت را از بین ببرند و با جدا کردن آنها به تک لایه های گرافنی یا گرافن اکسید برسند که این همان روش بالا به پایین است. در روش های شیمیایی هم نانو گرافن چند لایه، از کنار هم قرار گرفتن تک تک اتم های کربن ساخته می شود که به این روش ها نیز، روش پایین به بالا گفته می شود.

گرافن که تنها از یک اتم کربن تشکیل شده می تواند برای ایجاد نانو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی چند لایه که انرژی کمتری مصرف کرده و فضای کمی اشغال می کنند به کار رود.گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند. عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی Si مقاومت بین دو الکترود میتواند توسط یک الکترود سوم منتقل و یا کنترل شود.در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si ، جریان بین دو الکترود توسط میدان الکتریکی از الکترود سوم کنترل میشود. بر عکس ترانزیستور دو قطبی،در الکترود سوم به لحاظ خازنی متصل میشود و در تماس با نیمه هادی نیست. سه الکترود در ساختار نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si به سورس ، درین و گیت متصل میشوند.

نتیجه گیری :

در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است.

• پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

• دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بررسی ساختمان یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی (چند لایه Si) (نانو ترانزیستور با گرافن های چند ل

بررسی ساختمان یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی (چند لایه Si) (نانو ترانزیستور با گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده)

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. نانو گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند.

در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی Si مقاومت بین دو الکترود میتواند توسط یک الکترود سوم منتقل و یا کنترل شود.در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si ، جریان بین دو الکترود توسط میدان الکتریکی از الکترود سوم کنترل میشود. بر عکس ترانزیستور دو قطبی،در الکترود سوم به لحاظ خازنی متصل میشود و در تماس با نیمه هادی نیست. سه الکترود در ساختار نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si به سورس ، درین و گیت متصل میشوند.

در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند. انتقال جریان درین با تغییر چگالی حامل های بار در کانال انتقال دو بعدی مدوله شده است. درنانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه یک کانال انتقال 3 بعدی جریان درین با ضخامت کانال انتقال سه بعدی مدوله شده است.روش های متعدد شیمیایی و فیزیکی برای تولید انواع مختلف نانو گرافن چند لایه مطرح شده است. اساس کار روش های فیزیکی به این صورت است که در این روش ها سعی می کنند، نیروهای بین صفحات گرافنی در گرافیت را از بین ببرند و با جدا کردن آنها به تک لایه های گرافنی یا گرافن اکسید برسند که این همان روش بالا به پایین است. در روش های شیمیایی هم نانو گرافن چند لایه، از کنار هم قرار گرفتن تک تک اتم های کربن ساخته می شود که به این روش ها نیز، روش پایین به بالا گفته می شود.

نتیجه گیری :

عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. نانو گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند.

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک

بررسی ساختار نانو ترانزیستور های (GAAFET)

بررسی ساختار نانو ترانزیستور های (GAAFET) اثر میدانی گیت در اطراف با استفاده از (Carbon Nanotube) کلاس جدیدی از مواد نیمه هادی را نشان می دهد

پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

نکته: از آنجا که عرض باله در یک نانو ترانزیستور (GAAFET) به 5nm نزدیک می شود ، تغییرات عرض کانال نانو ترانزیستور اثر میدانی گیت در اطراف می تواند باعث تغییرات نامطلوب و از بین رفتن تحرک شود.

یک نانو ترانزیستور گیت- دروازه در اطراف FET - می تواند مشکل را دور بزند. و از نظر الکترواستاتیک ، دروازه گیت همه جانبه نانو ترانزیستوری است که در آن یک دروازه در هر چهار طرف کانال قرار می گیرد. در اصل این نانو سیم سیلیکونی است که گیتی به دور آن می چرخد. در بعضی موارد ، FET در اطراف می تواند گیت مشترک یا سایر مواد را در کانالها داشته باشد.نانولت های لایه ای افقی به عنوان اجماع برای ترانزیستور 5 نانومتر ظاهر می شوند. این دستگاه ها با لایه های متناوب سیلیکون و سیلیکون ژرمانیوم (SiGe) شروع می شوند که به ستون ها الگوی می شوند.ایجاد هتروساختار اولیه Si / SiGe صریح است و الگوی ستونی شبیه به ساختار باله برای نانو ترانزیستور میباشد. چند برای ترانزیستور های ورق نانو GAAFET تورفتگی در لایه های SiGe باعث ایجاد فاصله داخلی بین منبع / تخلیه می شود ، که در نهایت در کنار ستون و فضایی که دروازه گیت نانو ترانزیستور قرار دارد قرار می گیرد. این فاصله دهانه عرض دروازه را مشخص می کند. سپس ، هنگامی که فاصله های داخلی در محل هستند ، یک اچ کانال آزاد SiGe را حذف می کند. نانو لایه دی الکتریک گیت و فلز را در فضاهای بین نانوسیم های سیلیکون قرار می دهد.برای به حداقل رساندن اعوجاج مشبک و سایر نقایص ، میزان ژرمانیم لایه های SiGe باید تا حد ممکن کم باشد. انتخاب نانو لایه در نانو ترانزیستور گیت در اطراف با محتوای Ge یا ژرمانیوم افزایش می یابد ، و فرسایش لایه های سیلیکون در طول تورفتگی فواصل داخلی یا گیت کانال رها سازی نانو ترانزیستور و کانال بر ضخامت کانال گیت در اطراف و در نتیجه ولتاژ آستانه تأثیر می گذارد.

ساختار نانو ترانزیستور های (GAAFET) اثر میدانی گیت در اطراف با استفاده از (Carbon Nanotube) کلاس جدیدی از مواد نیمه هادی را نشان می دهد که از یک صفحه واحد از اتم های کربن جمع شده برای تشکیل یک ساختار لوله ای تشکیل شده است. GAAFET یک ترانزیستور با تأثیر میدان (FET) است که از نیمه هادی CNT به عنوان یک ماده کانال بین دو الکترود فلزی استفاده می کند ، که به عنوان مخاطب منبع و تخلیه رفتار می کند.

نتیجه گیری :

از آنجا که عرض باله در یک نانو ترانزیستور (GAAFET) به 5nm نزدیک می شود ، تغییرات عرض کانال نانو ترانزیستور اثر میدانی گیت در اطراف می تواند باعث تغییرات نامطلوب و از بین رفتن تحرک شود.

• پژوهشگر و نویسنده: افشین رشید

  دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک